IGBT-модули Three Level Inverter | купить в Киеве, Харькове, Днепропетровске, Донецке: цена, фото | Vantec
*****( 3382)

IGBT-модули Three Level Inverter

VS-GT300FD060N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 379
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 1250
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.5В / 15В, 300А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 23.3нФ / 30В
Тип корпуса: Dual INT-A-PAK (4 + 8)
VS-EMF050J60U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 88
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 338
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 9.5нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK2
APTGT300TL60G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 400
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 935
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 300А
Граничный ток коллектора (Ic max): 350мкА
Входная емкость / Vce: 18.4нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGL240TL120G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 305
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 1000
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.2В / 15В, 200А
Граничный ток коллектора (Ic max): 2мА
Входная емкость / Vce: 12.3нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGT200TL60G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 300
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 652
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 200А
Граничный ток коллектора (Ic max): 350мкА
Входная емкость / Vce: 12.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGT100TL170G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1700
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 150
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 560
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 350мкА
Входная емкость / Vce: 9нФ / 25В
Тип корпуса: module
CM150TX-24S1

Производитель: Powerex Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 150
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 935
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.25В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 15нФ / 10В
Тип корпуса: module
CM100TX-24S1

Производитель: Powerex Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 100
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 625
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.25В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 10нФ / 10В
Тип корпуса: module
APTGT150TL60G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 200
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
VS-ETF075Y60U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 109
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 294
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.93В / 15В, 75А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 4.44нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK-2B
Страницы: 12
ваша корзина пуста
ПРИМЕНЕННЫЕ ФИЛЬТРЫ
ПОДБОР ПО ПАРАМЕТРАМ
Цена
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт)
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер)
Граничный ток коллектора (Ic max)
Наличие NTC-термистора
СТАТЬИ
CM600DY-24S - IGBT полумост 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex - Украина

28.07.2015

CM600DY-24S - IGBT полумост на 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex, состоящий из двух IGBT транзисторов в полумостовой конфигурации.

далее...

IGBT модули INFINEON малой мощности серии EASY

06.09.2015

Серия IGBT модулей EASY включает в себя маломощные модули IGBT в экономичном корпусе. По топологии (функц. схеме) модули данной серии классифицируются на Easy PIM и EASY PACK. EASY PACK классифицируются на Easy SixPACK, Easy FourPACK, Easy DUAL. Для производства IGBT модулей EASY используются IGBT3- и IGBT4-кристаллы. Рабочее напряжение – 600 или 1200 В.

далее...

IGBT модулі INFINEON малої потужності серії EASY

06.09.2015

Серія IGBT модулів EASY включає малопотужні модулі IGBT в економічному корпусі. Виконання цієї серії обладнані спеціальними вмонтованими клемами, що дозволяють прикріпити модуль до радіатора. Для паяння друкованої плати драйвера модулі мають штирьові виводи.

далее...

IGBT модули седьмого поколения International Rectifier (IR) в Украине

23.06.2015

Компанія International Rectifier випускає цілу лінійку Co - Pack IGBT сьомого покоління (Trench Field - Stop IGBT), оптимізованих для застосування в резонансних перетворювачах.

далее...

Силовые IGBT-модули INFINEON серии ECONO

28.05.2015

Силовые модули IGBT INFINEON серии ECONO делятся на PIM (более сложная топология) и PACK. Варианты исполнения модулей серии ECONO: ECONO PIM: трехфазный или однофазный диодный мост, три (3) полумоста, чоппер и NTC-резистор. ECONO PACK: 3 IGBT-полумоста в паре с NTC-резистором. Иногда применяются варианты со встроенным шунтом (SixPACK с шунтом). ECONO FourPACK: Н-мост в паре с NTC-резистором.

далее...