IGBT-модули 70 | купить в Киеве, Харькове, Днепропетровске, Донецке: цена, фото | Vantec
*****( 3382)

IGBT-модули 70

APTGT50TDU170PG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Triple, Dual - Common Source
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1700
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 310
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 4.4нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGF50DSK120T3G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Dual Buck Chopper
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 312
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 3.7В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 3.45нФ / 25В
Тип корпуса: SP3
APTGF50DDA120T3G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Dual Boost Chopper
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 312
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 3.7В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 3.45нФ / 25В
Тип корпуса: SP3
APTGF50DH120T3G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Asymmetrical Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 312
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 3.7В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 3.45нФ / 25В
Тип корпуса: SP3
APTGF50VDA120T3G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Dual Boost Chopper
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 312
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 3.7В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 3.45нФ / 25В
Тип корпуса: SP3
APT50GF60JCU2

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 277
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.45В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 2.2нФ / 25В
Тип корпуса: SOT-227-4, miniBLOC
IRG5K35HF12A

Производитель: Infineon Technologies Americas Corp.
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 280
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.6В / 15В, 35А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 3.4нФ / 25В
Тип корпуса: POWIR® 34 Module
IXSN35N120AU1

Производитель: IXYS
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 300
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 4В / 15В, 35А
Граничный ток коллектора (Ic max): 750мкА
Входная емкость / Vce: 3.9нФ / 25В
Тип корпуса: SOT-227-4, miniBLOC
APTGT50TA170PG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1700
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 310
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 4.4нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGT50SK170D1G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1700
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 70
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 310
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 6мА
Входная емкость / Vce: 4.4нФ / 25В
Тип корпуса: D1
Страницы: 12
ваша корзина пуста
ПРИМЕНЕННЫЕ ФИЛЬТРЫ
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер)
70
СТАТЬИ
Силовые IGBT-модули INFINEON серии ECONO

28.05.2015

Силовые модули IGBT INFINEON серии ECONO делятся на PIM (более сложная топология) и PACK. Варианты исполнения модулей серии ECONO: ECONO PIM: трехфазный или однофазный диодный мост, три (3) полумоста, чоппер и NTC-резистор. ECONO PACK: 3 IGBT-полумоста в паре с NTC-резистором. Иногда применяются варианты со встроенным шунтом (SixPACK с шунтом). ECONO FourPACK: Н-мост в паре с NTC-резистором.

далее...

Силові IGBT-модулі INFINEON серії ECONO

16.09.2015

Основна відмінність серії ECONO від серії EASY - це корпус, що перевищує корпус серії EASY по міцності і габаритам.

далее...

IGBT модули седьмого поколения International Rectifier (IR) в Украине

23.06.2015

Компанія International Rectifier випускає цілу лінійку Co - Pack IGBT сьомого покоління (Trench Field - Stop IGBT), оптимізованих для застосування в резонансних перетворювачах.

далее...

IGBT модулі INFINEON малої потужності серії EASY

06.09.2015

Серія IGBT модулів EASY включає малопотужні модулі IGBT в економічному корпусі. Виконання цієї серії обладнані спеціальними вмонтованими клемами, що дозволяють прикріпити модуль до радіатора. Для паяння друкованої плати драйвера модулі мають штирьові виводи.

далее...

CM600DY-24S - IGBT полумост 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex - Украина

28.07.2015

CM600DY-24S - IGBT полумост на 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex, состоящий из двух IGBT транзисторов в полумостовой конфигурации.

далее...