IGBT-модули 225 | купить в Киеве, Харькове, Днепропетровске, Донецке: цена, фото | Vantec
*****( 3382)

IGBT-модули 225

MWI200-06A8T

Производитель: IXYS
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 675
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.5В / 15В, 200А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1.8мА
Входная емкость / Vce: 9нФ / 25В
Тип корпуса: E3
MWI200-06A8

Производитель: IXYS
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 675
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.5В / 15В, 200А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1.8мА
Входная емкость / Vce: 9нФ / 25В
Тип корпуса: E3
APTGT150TDU60PG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Triple, Dual - Common Source
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
APTGT150TA60PG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
CM225DX-24S1

Производитель: Powerex Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 1250
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.35В / 15В, 225А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 20нФ / 10В
Тип корпуса: module
APTGT150H60TG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Full Bridge Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP4
MG06150S-BN4MM

Производитель: Littelfuse Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 500
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.45В / 15В, 150А (Typ)
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 9.3нФ / 25В
Тип корпуса: S-3 Module
APTGT150DH60TG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Asymmetrical Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP4
APTGT150A60T3AG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 600
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP3
APTGT150DA60T1G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 225
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.9В / 15В, 150А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 9.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP1
Страницы: 12
ваша корзина пуста
ПРИМЕНЕННЫЕ ФИЛЬТРЫ
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер)
225
СТАТЬИ
Силові IGBT-модулі INFINEON серії ECONO

16.09.2015

Основна відмінність серії ECONO від серії EASY - це корпус, що перевищує корпус серії EASY по міцності і габаритам.

далее...

CM600DY-24S - IGBT полумост 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex - Украина

28.07.2015

CM600DY-24S - IGBT полумост на 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex, состоящий из двух IGBT транзисторов в полумостовой конфигурации.

далее...

IGBT модули седьмого поколения International Rectifier (IR) в Украине

23.06.2015

Компанія International Rectifier випускає цілу лінійку Co - Pack IGBT сьомого покоління (Trench Field - Stop IGBT), оптимізованих для застосування в резонансних перетворювачах.

далее...

Силовые IGBT-модули INFINEON серии ECONO

28.05.2015

Силовые модули IGBT INFINEON серии ECONO делятся на PIM (более сложная топология) и PACK. Варианты исполнения модулей серии ECONO: ECONO PIM: трехфазный или однофазный диодный мост, три (3) полумоста, чоппер и NTC-резистор. ECONO PACK: 3 IGBT-полумоста в паре с NTC-резистором. Иногда применяются варианты со встроенным шунтом (SixPACK с шунтом). ECONO FourPACK: Н-мост в паре с NTC-резистором.

далее...

IGBT модули INFINEON малой мощности серии EASY

06.09.2015

Серия IGBT модулей EASY включает в себя маломощные модули IGBT в экономичном корпусе. По топологии (функц. схеме) модули данной серии классифицируются на Easy PIM и EASY PACK. EASY PACK классифицируются на Easy SixPACK, Easy FourPACK, Easy DUAL. Для производства IGBT модулей EASY используются IGBT3- и IGBT4-кристаллы. Рабочее напряжение – 600 или 1200 В.

далее...