IGBT-модули 170
Производитель: | IXYS |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Phase Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 515 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.5В / 15В, 150А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1.5мА |
Входная емкость / Vce: | 6.5нФ / 25В |
Тип корпуса: | E3 |
Производитель: | IXYS |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Phase Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 515 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.5В / 15В, 150А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1.5мА |
Входная емкость / Vce: | 6.5нФ / 25В |
Тип корпуса: | E3 |
Производитель: | Global Power Technologies Group |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Phase Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 650 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 13.7нФ / 25В |
Тип корпуса: | module |
Производитель: | Infineon Technologies Americas Corp. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Full Bridge Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 405 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 6.2нФ / 25В |
Тип корпуса: | POWIR ECO 2™ Module |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 658 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 1.82В / 15В, 75А (Typ) |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 5.52нФ / 25В |
Тип корпуса: | INT-A-PAK (3 + 4) |
Производитель: | Microsemi Power Products Group |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 830 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 3.7В / 15В, 150А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 150мкА |
Входная емкость / Vce: | 9.3нФ / 25В |
Тип корпуса: | ISOTOP |
Производитель: | Infineon Technologies Americas Corp. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Half Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 405 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 6.2нФ / 25В |
Тип корпуса: | POWIR® 34 Module |
Производитель: | IXYS |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 500 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 1.8В / 15В, 70А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 50мкА |
Входная емкость / Vce: | 4.86нФ / 25В |
Тип корпуса: | SOT-227-4, miniBLOC |
Производитель: | IXYS |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 650 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 170 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 600 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 1.8В / 15В, 70А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 25мкА |
Входная емкость / Vce: | - |
Тип корпуса: | SOT-227-4, miniBLOC |