IGBT-модули 140 | купить в Киеве, Харькове, Днепропетровске, Донецке: цена, фото | Vantec
*****( 3382)

IGBT-модули 140

APTGL120TA120TPG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 517
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.15В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 6.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
MG12100W-XN2MM

Производитель: Littelfuse Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 450
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.7В / 15В, 100А (Typ)
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 7.1нФ / 25В
Тип корпуса: module
APTGL120TDU120TPG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Triple, Dual - Common Source
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 517
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.15В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 6.2нФ / 25В
Тип корпуса: module
APTGT100TA120TPG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 7.2нФ / 25В
Тип корпуса: module
APTGT100H120G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Full Bridge Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 7.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
MG12100S-BN2MM

Производитель: Littelfuse Inc.
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 450
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.7В / 15В, 100А (Typ)
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 7.1нФ / 25В
Тип корпуса: S-3 Module
APTGT100DH120TG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Asymmetrical Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 7.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP4
IRG5K75FF06E

Производитель: Infineon Technologies Americas Corp.
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Phase Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 330
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 75А
Граничный ток коллектора (Ic max): 1мА
Входная емкость / Vce: 3.6нФ / 25В
Тип корпуса: POWIR ECO 2™ Module
APTGT100A120TG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 7.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP4
APTGT100DU120TG

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Dual, Common Source
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 140
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 480
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 250мкА
Входная емкость / Vce: 7.2нФ / 25В
Тип корпуса: SP4
Страницы: 12
ваша корзина пуста
ПРИМЕНЕННЫЕ ФИЛЬТРЫ
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер)
140
СТАТЬИ
IGBT модули седьмого поколения International Rectifier (IR) в Украине

23.06.2015

Компанія International Rectifier випускає цілу лінійку Co - Pack IGBT сьомого покоління (Trench Field - Stop IGBT), оптимізованих для застосування в резонансних перетворювачах.

далее...

Силові IGBT-модулі INFINEON серії ECONO

16.09.2015

Основна відмінність серії ECONO від серії EASY - це корпус, що перевищує корпус серії EASY по міцності і габаритам.

далее...

IGBT модулі INFINEON малої потужності серії EASY

06.09.2015

Серія IGBT модулів EASY включає малопотужні модулі IGBT в економічному корпусі. Виконання цієї серії обладнані спеціальними вмонтованими клемами, що дозволяють прикріпити модуль до радіатора. Для паяння друкованої плати драйвера модулі мають штирьові виводи.

далее...

IGBT модули INFINEON малой мощности серии EASY

06.09.2015

Серия IGBT модулей EASY включает в себя маломощные модули IGBT в экономичном корпусе. По топологии (функц. схеме) модули данной серии классифицируются на Easy PIM и EASY PACK. EASY PACK классифицируются на Easy SixPACK, Easy FourPACK, Easy DUAL. Для производства IGBT модулей EASY используются IGBT3- и IGBT4-кристаллы. Рабочее напряжение – 600 или 1200 В.

далее...

Силовые IGBT-модули INFINEON серии ECONO

28.05.2015

Силовые модули IGBT INFINEON серии ECONO делятся на PIM (более сложная топология) и PACK. Варианты исполнения модулей серии ECONO: ECONO PIM: трехфазный или однофазный диодный мост, три (3) полумоста, чоппер и NTC-резистор. ECONO PACK: 3 IGBT-полумоста в паре с NTC-резистором. Иногда применяются варианты со встроенным шунтом (SixPACK с шунтом). ECONO FourPACK: Н-мост в паре с NTC-резистором.

далее...