IGBT-модули 100мкА | купить в Киеве, Харькове, Днепропетровске, Донецке: цена, фото | Vantec
*****( 3382)

IGBT-модули 100мкА

VS-EMG050J60N

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 88
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 338
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 9.5нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK2
VS-EMF050J60U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 88
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 338
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 50А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 9.5нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK2
APTGLQ200H120G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Full Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 350
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 1000
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 200А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 12.3нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
VS-ETF075Y60U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 109
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 294
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 1.93В / 15В, 75А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 4.44нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK-2B
VS-GT175DA120U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 288
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 1087
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.1В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: -
Тип корпуса: SOT-227-4, miniBLOC
VS-GB100TS60NPBF

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Half Bridge
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 108
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 390
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.85В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: -
Тип корпуса: INT-A-Pak
VS-ETF150Y65U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Three Level Inverter
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 650
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 142
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 417
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.06В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 6.6нФ / 30В
Тип корпуса: EMIPAK-2B
VS-150MT060WDF

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: *
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 138
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 543
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.48В / 15В, 80А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 14нФ / 30В
Тип корпуса: 12-MTP Module
VS-GB90DA60U

Производитель: Vishay Semiconductor Diodes Division
Категория: IGBT-модули
Схема: Single
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 600
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 147
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 625
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.8В / 15В, 100А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: -
Тип корпуса: SOT-227-4
APTGLQ40DDA120CT3G

Производитель: Microsemi Power Products Group
Категория: IGBT-модули
Схема: Dual Boost Chopper
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): 1200
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): 75
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): 250
Vce(on) (max) / Vge, Ic: 2.4В / 15В, 40А
Граничный ток коллектора (Ic max): 100мкА
Входная емкость / Vce: 2.3нФ / 25В
Тип корпуса: SP6
Страницы: 12345
ваша корзина пуста
ПРИМЕНЕННЫЕ ФИЛЬТРЫ
Граничный ток коллектора (Ic max)
СТАТЬИ
IGBT модули седьмого поколения International Rectifier (IR) в Украине

23.06.2015

Компанія International Rectifier випускає цілу лінійку Co - Pack IGBT сьомого покоління (Trench Field - Stop IGBT), оптимізованих для застосування в резонансних перетворювачах.

далее...

Силові IGBT-модулі INFINEON серії ECONO

16.09.2015

Основна відмінність серії ECONO від серії EASY - це корпус, що перевищує корпус серії EASY по міцності і габаритам.

далее...

IGBT модулі INFINEON малої потужності серії EASY

06.09.2015

Серія IGBT модулів EASY включає малопотужні модулі IGBT в економічному корпусі. Виконання цієї серії обладнані спеціальними вмонтованими клемами, що дозволяють прикріпити модуль до радіатора. Для паяння друкованої плати драйвера модулі мають штирьові виводи.

далее...

IGBT модули INFINEON малой мощности серии EASY

06.09.2015

Серия IGBT модулей EASY включает в себя маломощные модули IGBT в экономичном корпусе. По топологии (функц. схеме) модули данной серии классифицируются на Easy PIM и EASY PACK. EASY PACK классифицируются на Easy SixPACK, Easy FourPACK, Easy DUAL. Для производства IGBT модулей EASY используются IGBT3- и IGBT4-кристаллы. Рабочее напряжение – 600 или 1200 В.

далее...

CM600DY-24S - IGBT полумост 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex - Украина

28.07.2015

CM600DY-24S - IGBT полумост на 1200В (1,2кВ) 600А от Powerex, состоящий из двух IGBT транзисторов в полумостовой конфигурации.

далее...