IGBT-модули 100мкА
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Half Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 88 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 338 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 50А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 9.5нФ / 30В |
Тип корпуса: | EMIPAK2 |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Level Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 88 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 338 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 50А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 9.5нФ / 30В |
Тип корпуса: | EMIPAK2 |
Производитель: | Microsemi Power Products Group |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Full Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 350 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 1000 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.4В / 15В, 200А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 12.3нФ / 25В |
Тип корпуса: | SP6 |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Level Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 109 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 294 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 1.93В / 15В, 75А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 4.44нФ / 30В |
Тип корпуса: | EMIPAK-2B |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 288 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 1087 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.1В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | - |
Тип корпуса: | SOT-227-4, miniBLOC |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Half Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 108 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 390 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.85В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | - |
Тип корпуса: | INT-A-Pak |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Three Level Inverter |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 650 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 142 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 417 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.06В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 6.6нФ / 30В |
Тип корпуса: | EMIPAK-2B |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | * |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 138 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 543 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.48В / 15В, 80А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 14нФ / 30В |
Тип корпуса: | 12-MTP Module |
Производитель: | Vishay Semiconductor Diodes Division |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 147 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 625 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.8В / 15В, 100А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | - |
Тип корпуса: | SOT-227-4 |
Производитель: | Microsemi Power Products Group |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Dual Boost Chopper |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 75 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 250 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.4В / 15В, 40А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 100мкА |
Входная емкость / Vce: | 2.3нФ / 25В |
Тип корпуса: | SP6 |