IGBT-модули 1000
Производитель: | Powerex Inc. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Half Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 7500 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.3В / 15В, 1000А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 100нФ / 10В |
Тип корпуса: | module |
Производитель: | Microsemi Power Products Group |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 600 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 2300 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 1.9В / 15В, 800А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 49нФ / 25В |
Тип корпуса: | D4 |
Производитель: | Powerex Inc. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1700 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 3900 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.8В / 15В, 1000А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 220нФ / 10В |
Тип корпуса: | module |
Производитель: | Powerex Inc. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1400 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 5800 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 4.5В / 15В, 1000А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 2мА |
Входная емкость / Vce: | 200нФ / 10В |
Тип корпуса: | module |
Производитель: | Powerex Inc. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Single |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1200 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 5800 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 3.6В / 15В, 1000А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 6мА |
Входная емкость / Vce: | 200нФ / 10В |
Тип корпуса: | module |
Производитель: | Powerex Inc. |
Категория: | IGBT-модули |
Схема: | Half Bridge |
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (Uce max), В (Вольт): | 1700 |
Ток коллектора (Ic) (max), А (Ампер): | 1000 |
Максимальная мощность (Pmax), Вт (Ватт): | 3900 |
Vce(on) (max) / Vge, Ic: | 2.8В / 15В, 1000А |
Граничный ток коллектора (Ic max): | 1мА |
Входная емкость / Vce: | 220нФ / 10В |
Тип корпуса: | module |